DRAM

定義

DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取記憶體）是一種揮發性記憶體，用於需要快速讀寫與即時資料存取的工作負載。來源用「短期記憶」比喻 DRAM：它負責讓伺服器、PC、智慧型手機與 AI 加速器快速存取資料，但斷電後資料不會保留。

為什麼重要

• DRAM 是 Micron Technology 最大營收來源；既有來源稱 2026 財政年度第二季度 DRAM 營收約 188 億美元，佔總營收 79%。
• HBM 本質上是面向高頻寬需求的高階 DRAM 封裝/架構，AI 加速器需求會直接影響 DRAM 產能配置、價格與毛利率。
• 在 Memflation 框架中，DRAM 供需緊張可同時帶動上游供應商利潤，也壓迫下游硬體公司的 BOM 成本與高容量 SKU 供應。
• 2026-05-18-HBM與HBF性能與生產比較 將 DRAM/HBM 與 NAND-based HBF 對比：DRAM/HBM 低延遲與高耐久，HBF 高容量與非揮發。

與 HBF 的差異

• DRAM/HBM：揮發性、奈秒級延遲、支援頻繁讀寫，適合訓練與熱資料。
• NAND/HBF：非揮發、大容量、較低每 GB 成本，但延遲較高且寫入耐久有限，適合推論權重與暖資料。

觀察訊號

• DRAM 合約價、現貨價與 ASP 季增率。
• HBM 產能是否排擠一般伺服器、PC 或行動 DRAM。
• 主要供應商的 capex、製程節點轉換與良率。
• 下游硬體公司的配置限制、交期與毛利率指引。
• HBF 若成熟，是否改變推論端對 DRAM/HBM 的容量需求。

相關頁面

• Micron Technology
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• Memflation
• NAND Flash
• 記憶體週期反轉風險

來源

• 2026-05-18-Micron-Technology-MU公司與投資分析筆記
• 2026-05-18-HBM與HBF性能與生產比較

HBM 排擠與常規 DRAM 供給張力

來源主張 2026 年 HBM 對 DRAM wafer allocation 的占比上升，可能使 DDR5 等常規 DRAM 供給緊縮。此敘述未附引用，但值得作為追蹤點：DRAM 不只受終端需求影響，也受 HBM 高毛利產品對晶圓、封裝與測試資源的重新分配影響。